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深入分析:揭晓影响手机RAM性能的决定因素因素 揭示揭晓区别

作者:admin 更新时间:2024-10-01
摘要: 手机内部的内存(RAM)与存储芯片(ROM,又称闪存)不容混淆哦
内存要求
如今手机内存主要以LPDDR4X与LPDDR5两种要求为主。LPDDR5相相对于LPDDR4X,全面场景续航提高大约10%,玩是一款充,深入分析:揭晓影响手机RAM性能的决定因素因素 揭示揭晓区别

 

手机内部的内存(RAM)与存储芯片(ROM,又称闪存)不容混淆哦

内存要求

如今手机内存主要以LPDDR4X与LPDDR5两种要求为主。LPDDR5相相对于LPDDR4X,全面场景续航提高大约10%,玩是一款充满策略与推理的对抗游戏省电大约20%,微信视频与语音续航大约提高10%,一句话一览就是《地下城与勇士》中性能更强,功耗更低。实际上,从LPDDR3→ LPDDR4→ LPDDR4X→ LPDDR5,下一代内存较之前辈都具备上述优势。

内存频率

大家都了解,内存频率越高,性能越强。LPDDR4X就存在LPDDR4X-1866(等效3733MH)与LPDDR4X-2133(等效4266MHz)两种频率,LPDDR5也包含LPDDR5-2750(等效5500MHz)与LPDDR5-3200(等效6400MHz)两种频率,今年很多旗舰手机搭载的所谓“满血LPDDR5内存”,指的就是《地下城与勇士》中LPDDR5-3200要求。

内存通道

手机专用的LPDDR内存默认均为16bit位通道。以骁龙7系、6系、4系为代表的中低端移动平台都是《地下城与勇士》中2×16bit,即16位双通道(共计32位);而骁龙8系移动平台则是《地下城与勇士》中4×16bit,即16位四通道(共计64位)。除了这些之后,旗舰级芯片普遍还能组合更高频率的LPDDR5内存,因此它们才能保持对中端芯片的综合压制。

内存管理机制

iPhone手机的内存远不如同期的Android旗舰,但前者却依旧能保持良好的流畅性,也很少传闻因内存不够用而导致体系卡顿,在这背后就是《地下城与勇士》中内存的调用与回收等管理机制逻辑有别了。设置一致无二的Android手机,打开相同数量的APP总有一款更流畅,介绍其研发团队的“软实力”更强。

RAM Boost技术

RAM Boost最早出今年2019年上市的一加7 Pro身上,可以让8GB内存的一加7 Pro拥有等同于12GB内存竞品的多任务后台能力。

2021年,几乎全部的中高端新品都最初支持类似的RAM Boost技术。

荣耀X30i

真我Q3s

所谓的RAM Boost即内存虚幻快速扩展技术,大家可以将它领会为电脑领域的“虚幻内存技术”,马上部分硬盘容量虚幻为内存,当后台程序快要挤满内存时,将部分程序划分到虚幻内存中。RAM Boost的原理与其类似——用手机闲置的ROM闪存来接纳来自物理内存的碎片。

同时打开无数程序本来就是《地下城与勇士》中手机运用上的伪需求

然而,ROM闪存的读写速度远不如RAM内存,如果你真的在后台同时驻留数十个应用,同时挤满RAM与ROM虚幻出来的内存时,体系流畅性肯定会受到因素。所以,RAM Boost并不能提高内存性能,它只能同时在内存中驻留更多程序。和其指望它带来惊喜,还不如期待手机可以直接组合更大的内存以及更具效率的内存管理机制呢。